-
1 наклон люксомической характеристики фоторезистора
наклон люксомической характеристики фоторезистора
Тангенс угла линейного участка люксомической характеристики фоторезистора, построенной в двойном логарифмическом масштабе.
Обозначение
у
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
75. Наклон люксомической характеристики фоторезистора
D. Steilheit der Lux-Olmi-Kennlinie
E. ffluminance-resistance characteristique slope
F. Pente de caractéristique éclairementrésistance
γ
Тангенс угла линейного участка люксомической характеристики фоторезистора, построенной в двойном логарифмическом масштабе
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > наклон люксомической характеристики фоторезистора
-
2 наклон люксомической характеристики фоторезистора
наклон люксомической характеристики фоторезистора
Тангенс угла линейного участка люксомической характеристики фоторезистора, построенной в двойном логарифмическом масштабе.
Обозначение
у
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
75. Наклон люксомической характеристики фоторезистора
D. Steilheit der Lux-Olmi-Kennlinie
E. ffluminance-resistance characteristique slope
F. Pente de caractéristique éclairementrésistance
γ
Тангенс угла линейного участка люксомической характеристики фоторезистора, построенной в двойном логарифмическом масштабе
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > наклон люксомической характеристики фоторезистора
-
3 наклон люксомической характеристики фоторезистора
наклон люксомической характеристики фоторезистора
Тангенс угла линейного участка люксомической характеристики фоторезистора, построенной в двойном логарифмическом масштабе.
Обозначение
у
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
75. Наклон люксомической характеристики фоторезистора
D. Steilheit der Lux-Olmi-Kennlinie
E. ffluminance-resistance characteristique slope
F. Pente de caractéristique éclairementrésistance
γ
Тангенс угла линейного участка люксомической характеристики фоторезистора, построенной в двойном логарифмическом масштабе
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > наклон люксомической характеристики фоторезистора
См. также в других словарях:
ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
наклон — 2.5. наклон: Измеренный в процентах угол наклона опорной поверхности, образованный поднятой или опущенной одной стороной поверхности и горизонтальной плоскостью таким образом, что линия пересечения опорной поверхности и горизонтальной плоскости… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Наклон люксомической характеристики фоторезистора — 75. Наклон люксомической характеристики фоторезистора D. Steilheit der Lux Olmi Kennlinie E. ffluminance resistance characteristique slope F. Pente de caractéristique éclairementrésistance γ Тангенс угла линейного участка люксомической… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
